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MSRT20060(A)D 技術仕様

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 200A
Supplier Device Package Three Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case Three Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A
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MSRT20060(A)D 書類

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その他には以下が含まれます：   "MSRT2"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MSRT200100(A) GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2507
MSRT200100(A)D GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2658
MSRT200120(A) GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2525
MSRT200120(A)D GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2700
MSRT200140(A) GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2511
MSRT200140(A)D GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 0
MSRT200160(A) GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2642
MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2741
MSRT20060(A) GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2756
MSRT20080(A) GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2656

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MSRT20060(A)D ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, MSRT20060(A)D 参考価格. MSRT20060(A)D パラメーター, MSRT20060(A)D データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MSRT20060(A)D プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MSRT20060(A)D ピン図と回路図と機能の使用方法、 MSRT20060(A)D エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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