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MURT10060R
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MURT10060R 技術仕様
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
Supplier Device Package | Three Tower |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Package / Case | Three Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | - |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A (DC) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard, Reverse Polarity |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 50V |
MURT10060R 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MURT10060R
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データシート
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その他には以下が含まれます: "MURT1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MURT1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2717 |
MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2762 |
MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2770 |
MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2514 |
MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2686 |
MURT10020R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2773 |
MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2711 |
MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2523 |
MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2652 |
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MURT10060R ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, MURT10060R 参考価格. MURT10060R パラメーター, MURT10060R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MURT10060R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MURT10060R ピン図と回路図と機能の使用方法、 MURT10060R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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ショッピングガイド
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輸送方法 | ||
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