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MURTA400120
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MURTA400120 技術仕様
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 200A |
Supplier Device Package | Three Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 1200V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Package / Case | Three Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
MURTA400120 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MURTA400120
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データシート
MURTA400120.pdf
その他には以下が含まれます: "MURTA" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MURTA'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2528 |
MURTA200120R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2640 |
MURTA20020 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2541 |
MURTA20020R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2647 |
MURTA20040 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2625 |
MURTA20040R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2786 |
MURTA20060 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2581 |
MURTA20060R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2668 |
MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2763 |
MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2593 |
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MURTA400120 ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, MURTA400120 参考価格. MURTA400120 パラメーター, MURTA400120 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MURTA400120 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MURTA400120 ピン図と回路図と機能の使用方法、 MURTA400120 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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