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GP1M009A020HG 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 9A TO220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 414pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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GP1M003A040CG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2670
GP1M003A040PG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2526
GP1M003A050CG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2798
GP1M003A050FG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2590
GP1M003A050HG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2682
GP1M003A050PG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
GP1M003A080CH Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
GP1M003A080FH Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2585
GP1M003A080H Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2666
GP1M003A080PH Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2579

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GP1M009A020HG ブランドメーカー: Global Power Technologies Group, Bonchip ストック, GP1M009A020HG 参考価格. GP1M009A020HG パラメーター, GP1M009A020HG データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GP1M009A020HG プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GP1M009A020HG ピン図と回路図と機能の使用方法、 GP1M009A020HG エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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