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GP1M009A060FH 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Power Dissipation (Max) 51.4W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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GP1M003A040CG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2670
GP1M003A040PG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2526
GP1M003A050CG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2798
GP1M003A050FG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2590
GP1M003A050HG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2682
GP1M003A050PG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
GP1M003A080CH Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
GP1M003A080FH Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2585
GP1M003A080H Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2666
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GP1M009A060FH ブランドメーカー: Global Power Technologies Group, Bonchip ストック, GP1M009A060FH 参考価格. GP1M009A060FH パラメーター, GP1M009A060FH データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GP1M009A060FH プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GP1M009A060FH ピン図と回路図と機能の使用方法、 GP1M009A060FH エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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