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GP2M002A065FG 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Power Dissipation (Max) 17.3W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
GP2M002A060CG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2648
GP2M002A060FG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2780
GP2M002A060HG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2777
GP2M002A060PG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2627
GP2M002A065CG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2624
GP2M002A065HG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2538
GP2M002A065PG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2707
GP2M004A060CG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2688
GP2M004A060FG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2714
GP2M004A060HG Global Power Technologies Group トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2559

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GP2M002A065FG ブランドメーカー: Global Power Technologies Group, Bonchip ストック, GP2M002A065FG 参考価格. GP2M002A065FG パラメーター, GP2M002A065FG データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GP2M002A065FG プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GP2M002A065FG ピン図と回路図と機能の使用方法、 GP2M002A065FG エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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