IXBK75N170A 技術仕様

IGBT 1700V 110A 1040W TO264

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Test Condition 1360V, 42A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 3.8mJ (off)
Series BIMOSFET™
Power - Max 1040W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A
Td (on/off) @ 25°C 26ns/418ns
Supplier Device Package TO-264
Reverse Recovery Time (trr) 360ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 358nC
Current - Collector (Ic) (Max) 110A
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IXBK75N170 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - シングル 2584
IXBK75N170 IXYS 単一IGBT
IXBK75N170A IXYS 単一IGBT

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