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IXFA10N60P 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 740 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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IXFA10N60P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFA10N60P 参考価格. IXFA10N60P パラメーター, IXFA10N60P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFA10N60P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFA10N60P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFA10N60P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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