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IXFC12N80P 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case ISOPLUS220™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFC10N80P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2776
IXFC110N10P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2767
IXFC12N100F IXYS Corporation 特殊なホットIC 653
IXFC13N50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2647
IXFC13N80Q IXYS Corporation 特殊なホットIC 848
IXFC14N60P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2512
IXFC14N80P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2770
IXFC15N80Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2570
IXFC16N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2612
IXFC16N80P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2700

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IXFC12N80P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFC12N80P 参考価格. IXFC12N80P パラメーター, IXFC12N80P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFC12N80P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFC12N80P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFC12N80P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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