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IXFE180N10 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 176A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFE180N20 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2703

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IXFE180N10 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFE180N10 参考価格. IXFE180N10 パラメーター, IXFE180N10 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFE180N10 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFE180N10 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFE180N10 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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