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IXFH22N65X2
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IXFH22N65X2 技術仕様
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2310pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
IXFH22N65X2 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "IXFH2" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXFH20N100P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5540 |
IXFH20N100P | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXFH20N50P3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2523 |
IXFH20N60 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2963 |
IXFH20N60Q | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1254 |
IXFH20N80 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 95 |
IXFH20N80P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2279 |
IXFH20N80Q | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1435 |
IXFH20N80Q | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXFH20N85X | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 600 |
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IXFH22N65X2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFH22N65X2 参考価格. IXFH22N65X2 パラメーター, IXFH22N65X2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFH22N65X2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFH22N65X2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFH22N65X2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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