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IXFH26N55Q 技術仕様

MOSFET N-CH 550V 26A TO-247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFH20N100P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5540
IXFH20N100P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFH20N50P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2523
IXFH20N60 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2963
IXFH20N60Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1254
IXFH20N80 IXYS Corporation 特殊なホットIC 95
IXFH20N80P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2279
IXFH20N80Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1435
IXFH20N80Q IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFH20N85X IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 600

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IXFH26N55Q ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFH26N55Q 参考価格. IXFH26N55Q パラメーター, IXFH26N55Q データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFH26N55Q プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFH26N55Q ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFH26N55Q エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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