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IXFH35N30 技術仕様

MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFH30N40Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2874
IXFH30N50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2883
IXFH30N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1057
IXFH30N50P MOSFETIGBTIC IXYS Corporation 特殊なホットIC 482
IXFH30N50Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 12388
IXFH30N50Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2529
IXFH30N60 IXYS Corporation 特殊なホットIC 38
IXFH30N60P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6248
IXFH30N60Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5670
IXFH30N60X IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2682

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IXFH35N30 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFH35N30 参考価格. IXFH35N30 パラメーター, IXFH35N30 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFH35N30 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFH35N30 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFH35N30 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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