IXFH60N60X 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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IXFH60N20 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6174
IXFH60N20F IXYS Corporation 特殊なホットIC 2863
IXFH60N20F CMH82N25 IXYS Corporation 特殊なホットIC 427
IXFH60N25Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2848
IXFH60N50P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23321
IXFH60N50P3 IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFH60N50P3 IC IXYS Corporation 特殊なホットIC 1913
IXFH60N60 IXYS Corporation 特殊なホットIC 1
IXFH60N65X2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 20809
IXFH60N65X2 IXYS 単一MOSFETトランジスタ

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