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IXFK200N10P
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IXFK200N10P 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Supplier Device Package | TO-264AA (IXFK) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 100A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
IXFK200N10P 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXFK200N10P
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データシート
IXFK200N10P.pdf
その他には以下が含まれます: "IXFK2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXFK2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXFK20N120 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2460 |
IXFK20N120P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2631 |
IXFK20N80Q | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2801 |
IXFK210N17T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2736 |
IXFK210N30X3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 474 |
IXFK21N100 | IXFK | 特殊なホットIC | 2727 |
IXFK21N100F | IXYS RF | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3248 |
IXFK21N100F | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2831 |
IXFK21N100F | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXFK21N100Q | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2786 |
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IXFK200N10P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFK200N10P 参考価格. IXFK200N10P パラメーター, IXFK200N10P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFK200N10P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFK200N10P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFK200N10P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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