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IXFN100N10S2 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFN10050P IXYS IGBTモジュール 5356
IXFN100N10 IXYS IGBTモジュール 2984
IXFN100N10S1 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2752
IXFN100N10S3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2898
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IXFN100N25 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2994
IXFN100N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2799
IXFN100N50Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2912
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IXFN102N30 IXYS IGBTモジュール 2584

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IXFN100N10S2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN100N10S2 参考価格. IXFN100N10S2 パラメーター, IXFN100N10S2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN100N10S2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN100N10S2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN100N10S2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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