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IXFN210N20P 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1070W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 105A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 188A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFN200N06 IXYS IGBTモジュール 2706
IXFN200N07 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2857
IXFN200N10L2 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2868
IXFN200N10P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2268
IXFN20N120 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2889
IXFN20N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2929
IXFN20N120P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFN20N50 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2979
IXFN210N30P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2720
IXFN210N30X3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2717

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IXFN210N20P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN210N20P 参考価格. IXFN210N20P パラメーター, IXFN210N20P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN210N20P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN210N20P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN210N20P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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