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IXFN32N100Q3
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IXFN32N100Q3 技術仕様
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 780W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 16A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9940pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A |
IXFN32N100Q3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXFN32N100Q3
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データシート
IXFN32N100Q3.pdf
その他には以下が含まれます: "IXFN3" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXFN3'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXFN300N10P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2939 |
IXFN300N20X3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2756 |
IXFN30N110 | IXYS | IGBTモジュール | 2508 |
IXFN30N110P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2761 |
IXFN30N120 | IXYS | IGBTモジュール | 2605 |
IXFN30N120P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2889 |
IXFN30N120Q3 | IXYS | IGBTモジュール | 2720 |
IXFN30N50 | IXYS | IGBTモジュール | 2862 |
IXFN320N17T2 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2942 |
IXFN320N60DA3 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 2828 |
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IXFN32N100Q3 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN32N100Q3 参考価格. IXFN32N100Q3 パラメーター, IXFN32N100Q3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN32N100Q3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN32N100Q3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN32N100Q3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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