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IXFN360N10T 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 505nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFN300N10P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2939
IXFN300N20X3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2756
IXFN30N110 IXYS IGBTモジュール 2508
IXFN30N110P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2761
IXFN30N120 IXYS IGBTモジュール 2605
IXFN30N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2889
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IXFN30N50 IXYS IGBTモジュール 2862
IXFN320N17T2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2942
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IXFN360N10T ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN360N10T 参考価格. IXFN360N10T パラメーター, IXFN360N10T データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN360N10T プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN360N10T ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN360N10T エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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