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IXFN60N60
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IXFN60N60 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
IXFN60N60 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXFN60N60
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データシート
IXFN60N60.pdf
その他には以下が含まれます: "IXFN6" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXFN6'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXFN60GT60JRDX | APT | IGBTモジュール | 2982 |
IXFN60N50L2 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 2783 |
IXFN60N80 | IXYS | IGBTモジュール | 2986 |
IXFN60N80P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1231 |
IXFN61N50 | IXYS | IGBTモジュール | 2897 |
IXFN61N60 | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 2991 |
IXFN62N80Q3 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2967 |
IXFN64N20 | IXYS | IGBTモジュール | 2862 |
IXFN64N50 | IXYS | IGBTモジュール | 2711 |
IXFN64N50P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1367 |
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IXFN60N60 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN60N60 参考価格. IXFN60N60 パラメーター, IXFN60N60 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN60N60 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN60N60 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN60N60 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 |
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