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IXFN82N60Q3 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 275nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 41A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFN80N10 IXYS IGBTモジュール 2733
IXFN80N10S1 IXYS IGBTモジュール 2767
IXFN80N48 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2936
IXFN80N50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2782
IXFN80N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2702
IXFN80N50Q IXYS IGBTモジュール 2762
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IXFN80N50Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2531
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IXFN80N60P IXYS Corporation 特殊なホットIC 2835

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IXFN82N60Q3 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFN82N60Q3 参考価格. IXFN82N60Q3 パラメーター, IXFN82N60Q3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFN82N60Q3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFN82N60Q3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFN82N60Q3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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