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IXFP4N100P 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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IXFP4N100Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2715
IXFP4N60P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2662
IXFP4N85X IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2710
IXFP4N85XM IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2771

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IXFP4N100P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFP4N100P 参考価格. IXFP4N100P パラメーター, IXFP4N100P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFP4N100P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFP4N100P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFP4N100P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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