IXFP8N85XM 技術仕様

MOSFET N-CH

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 654pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 850V 8A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220 Isolated Tab
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 850V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IXFP80N25X3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1225
IXFP8N50P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2588
IXFP8N50PM IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2590
IXFP8N65X2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
IXFP8N85X IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2549

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