IXFR180N06 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7650pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 560W (Tc)
Package / Case ISOPLUS247™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 420nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IXFR100N25 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2887
IXFR100N25P IXYS Corporation 特殊なホットIC 30
IXFR102N30P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2606
IXFR10N100F IXYS Corporation 特殊なホットIC 2878
IXFR10N100Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2728
IXFR120N20 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2909
IXFR12N100 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2559
IXFR12N100F IXYS Corporation 特殊なホットIC 2761
IXFR12N100Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2977
IXFR12N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2626

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