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IXFT13N100 技術仕様

MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFT100N30X3HV IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2571
IXFT10N100 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32365
IXFT120N15P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 52363
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IXFT120N30X3HV IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2608
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IXFT13N100 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFT13N100 参考価格. IXFT13N100 パラメーター, IXFT13N100 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFT13N100 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFT13N100 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFT13N100 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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