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IXFT150N17T2 技術仕様

MOSFET N-CH

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 880W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 233nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 175V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 75A, 10V
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFT100N30X3HV IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2571
IXFT10N100 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32365
IXFT120N15P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 52363
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IXFT120N30X3HV IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2608
IXFT12N100 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32365
IXFT12N100F IXYS RF トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
IXFT12N100F IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
IXFT12N100Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32429
IXFT12N50F IXYS 特殊なホットIC 5865

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IXFT150N17T2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFT150N17T2 参考価格. IXFT150N17T2 パラメーター, IXFT150N17T2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFT150N17T2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFT150N17T2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFT150N17T2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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