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IXFT26N60P 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 460W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFT20N100P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5555
IXFT20N60Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2537
IXFT20N80P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3555
IXFT20N80P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXFT20N80Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2799
IXFT21N50 IXYS Corporation 特殊なホットIC 4543
IXFT21N50F IXYS Corporation 特殊なホットIC 4322
IXFT21N50Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2691
IXFT220N20X3HV IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2601
IXFT23N60Q IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5555

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IXFT26N60P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFT26N60P 参考価格. IXFT26N60P パラメーター, IXFT26N60P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFT26N60P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFT26N60P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFT26N60P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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