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IXFT58N20Q 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
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IXFT50N20 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2769
IXFT50N30Q3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2606
IXFT50N50P3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2609
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IXFT58N20Q ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFT58N20Q 参考価格. IXFT58N20Q パラメーター, IXFT58N20Q データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFT58N20Q プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFT58N20Q ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFT58N20Q エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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