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IXFV12N80P 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFV110N10P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2523
IXFV110N10PS IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2640
IXFV12N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2512
IXFV12N120PS IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2736
IXFV12N80PS IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2695
IXFV12N90 IXYS Corporation 特殊なホットIC 6
IXFV12N90P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2626
IXFV12N90PS IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2647
IXFV14N80P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2519
IXFV14N80PS IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2647

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IXFV12N80P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFV12N80P 参考価格. IXFV12N80P パラメーター, IXFV12N80P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFV12N80P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFV12N80P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFV12N80P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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