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IXFX120N65X2 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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IXFX120N65X2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFX120N65X2 参考価格. IXFX120N65X2 パラメーター, IXFX120N65X2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFX120N65X2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFX120N65X2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFX120N65X2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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