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IXFX360N10T 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™ HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 525nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXFX300N20X3 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2525
IXFX30N100Q2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2973
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IXFX320N17T2 IXYS 単一MOSFETトランジスタ
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IXFX360N10T ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXFX360N10T 参考価格. IXFX360N10T パラメーター, IXFX360N10T データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXFX360N10T プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXFX360N10T ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXFX360N10T エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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