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IXTA36N30P 技術仕様

MOSFET N-CH 300V 36A TO-263

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTA300N04T2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
IXTA300N04T2-7 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
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IXTA36N30P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTA36N30P 参考価格. IXTA36N30P パラメーター, IXTA36N30P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTA36N30P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTA36N30P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTA36N30P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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