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IXTF1R4N450 技術仕様

2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 Ohm @ 50mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case i4-Pac™-5 (3 leads)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 4500V (4.5kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTF1N400 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2517
IXTF1N450 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2687

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IXTF1R4N450 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTF1R4N450 参考価格. IXTF1R4N450 パラメーター, IXTF1R4N450 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTF1R4N450 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTF1R4N450 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTF1R4N450 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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