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IXTH1N200P3 技術仕様

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000V (2kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTH100N25 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2746
IXTH102N15T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5816
IXTH102N20T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5868
IXTH102N25T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2527
IXTH10N100 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2787
IXTH10N100A IXYS Corporation 特殊なホットIC 2707
IXTH10N100D IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 20000
IXTH10N100D2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 365
IXTH10N60 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2755
IXTH10N60A IXYS Corporation 特殊なホットIC 2750

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IXTH1N200P3 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTH1N200P3 参考価格. IXTH1N200P3 パラメーター, IXTH1N200P3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTH1N200P3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTH1N200P3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTH1N200P3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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