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IXTH2R4N120P 技術仕様

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1207pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
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IXTH2R4N120P 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTH200N075T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2386
IXTH200N085T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
IXTH200N10T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2299
IXTH20N50D IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13596
IXTH20N55 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2846
IXTH20N55A IXYS Corporation 特殊なホットIC 2804
IXTH20N55MA IXYS Corporation 特殊なホットIC 2782
IXTH20N55MB IXYS Corporation 特殊なホットIC 2802
IXTH20N60 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1461
IXTH20N60A IXYS Corporation 特殊なホットIC 2799

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IXTH2R4N120P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTH2R4N120P 参考価格. IXTH2R4N120P パラメーター, IXTH2R4N120P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTH2R4N120P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTH2R4N120P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTH2R4N120P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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