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IXTH30N60P 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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IXTH30N25 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5821
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IXTH30N50L IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6010
IXTH30N50L2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5719
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IXTH30N60P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTH30N60P 参考価格. IXTH30N60P パラメーター, IXTH30N60P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTH30N60P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTH30N60P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTH30N60P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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