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IXTH67N10 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MegaMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 33.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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IXTH67N10 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTH67N10 参考価格. IXTH67N10 パラメーター, IXTH67N10 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTH67N10 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTH67N10 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTH67N10 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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