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IXTM12N100 技術仕様

POWER MOSFET TO-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-204AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTM10P60 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
IXTM11N80 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2519
IXTM11P50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2728
IXTM1316 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
IXTM15N60 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
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IXTM1712 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0

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IXTM12N100 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTM12N100 参考価格. IXTM12N100 パラメーター, IXTM12N100 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTM12N100 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTM12N100 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTM12N100 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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