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IXTN170P10P 技術仕様

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarP™
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12600pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTN102N65X2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2748
IXTN110N20L2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2576
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IXTN170P10P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTN170P10P 参考価格. IXTN170P10P パラメーター, IXTN170P10P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTN170P10P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTN170P10P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTN170P10P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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