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IXTN32P60P 技術仕様

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11100pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarP™
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTN30N100L IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2365
IXTN30N50 IXYS IGBTモジュール 2676
IXTN320N10T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2726
IXTN35N120AU1 IXYS Corporation 特殊なホットIC 2807
IXTN36N150 IXYS IGBTモジュール 2527
IXTN36N40 IXYS IGBTモジュール 2743
IXTN36N45 IXYS IGBTモジュール 2893
IXTN36N50 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1437
IXTN36N50S1 IXYS IGBTモジュール 2704
IXTN36N50SI IXYS Corporation 特殊なホットIC 2913

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IXTN32P60P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTN32P60P 参考価格. IXTN32P60P パラメーター, IXTN32P60P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTN32P60P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTN32P60P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTN32P60P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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