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IXTP08N120P 技術仕様

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 333pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
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IXTP01N100D IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 862
IXTP02N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3432
IXTP02N50D IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5005
IXTP05N100 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2711
IXTP05N100M IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2619
IXTP05N100P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4222
IXTP06N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3432
IXTP08N100D2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3789
IXTP08N100P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4543
IXTP08N50D2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10259

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IXTP08N120P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTP08N120P 参考価格. IXTP08N120P パラメーター, IXTP08N120P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTP08N120P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTP08N120P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTP08N120P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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