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IXTP1R4N120P
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IXTP1R4N120P 技術仕様
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
IXTP1R4N120P 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXTP1R4N120P
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データシート
IXTP1R4N120P.pdf
その他には以下が含まれます: "IXTP1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXTP1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXTP100N04T2 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 22980 |
IXTP102N15T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 6300 |
IXTP10N60P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 12888 |
IXTP10N60PM | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2576 |
IXTP10P15T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 4784 |
IXTP10P50P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5301 |
IXTP110N055P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 14888 |
IXTP110N055T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 31968 |
IXTP110N055T2 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 554 |
IXTP110N055T2 MOS | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 527 |
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IXTP1R4N120P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTP1R4N120P 参考価格. IXTP1R4N120P パラメーター, IXTP1R4N120P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTP1R4N120P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTP1R4N120P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTP1R4N120P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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