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IXTP6N100D2 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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IXTP6N100D2 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTP60N10T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2402
IXTP60N10T MOS IXYS Corporation 特殊なホットIC 817
IXTP60N10TM I 特殊なホットIC 32363
IXTP60N20T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13399
IXTP60N28TM-A IXYS Corporation 特殊なホットIC 32363
IXTP62N15P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32365
IXTP64N055T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 29286
IXTP6N50D2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
IXTP6N50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32363
IXTP6N50P TK5A50D Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 32363

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IXTP6N100D2 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTP6N100D2 参考価格. IXTP6N100D2 パラメーター, IXTP6N100D2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTP6N100D2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTP6N100D2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTP6N100D2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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