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IXTQ182N055T 技術仕様

MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4850pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMV™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 182A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTQ100N25P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2838
IXTQ100N25P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXTQ102N15T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5779
IXTQ102N20T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5682
IXTQ102N25T IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2675
IXTQ10P50P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2714
IXTQ110N055P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2823
IXTQ110N10P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2847
IXTQ110N10P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXTQ120N15P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5320

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IXTQ182N055T ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTQ182N055T 参考価格. IXTQ182N055T パラメーター, IXTQ182N055T データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTQ182N055T プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTQ182N055T ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTQ182N055T エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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