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IXTQ18N60P
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IXTQ18N60P 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHV™ |
Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
IXTQ18N60P 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXTQ18N60P
-
データシート
IXTQ18N60P.pdf
その他には以下が含まれます: "IXTQ1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXTQ1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXTQ100N25P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2838 |
IXTQ100N25P | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXTQ102N15T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5779 |
IXTQ102N20T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5682 |
IXTQ102N25T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2675 |
IXTQ10P50P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2714 |
IXTQ110N055P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2823 |
IXTQ110N10P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2847 |
IXTQ110N10P | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXTQ120N15P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5320 |
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IXTQ18N60P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTQ18N60P 参考価格. IXTQ18N60P パラメーター, IXTQ18N60P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTQ18N60P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTQ18N60P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTQ18N60P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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