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IXTQ30N60P
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IXTQ30N60P 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5050pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHV™ |
Power Dissipation (Max) | 540W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
IXTQ30N60P 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IXTQ30N60P
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データシート
IXTQ30N60P.pdf
その他には以下が含まれます: "IXTQ3" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IXTQ3'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IXTQ30N50L | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 37918 |
IXTQ30N50L2 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 36585 |
IXTQ30N50P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 6603 |
IXTQ30N60L2 | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 34707 |
IXTQ32N65X | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32363 |
IXTQ32P20T | IXYS Corporation | 特殊なホットIC | 3789 |
IXTQ36N20T | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32363 |
IXTQ36N30P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2918 |
IXTQ36N30P | IXYS | 単一MOSFETトランジスタ | |
IXTQ36N50P | IXYS Corporation | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2768 |
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IXTQ30N60P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTQ30N60P 参考価格. IXTQ30N60P パラメーター, IXTQ30N60P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTQ30N60P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTQ30N60P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTQ30N60P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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