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IXTT52N30P 技術仕様

MOSFET N-CH 300V 52A TO-268

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTT500N04T2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3789
IXTT50P085 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3432
IXTT50P10 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4322

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IXTT52N30P ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTT52N30P 参考価格. IXTT52N30P パラメーター, IXTT52N30P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTT52N30P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTT52N30P ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTT52N30P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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