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IXTY01N100D 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 Ohm @ 50mA, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IXTY01N100 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2766
IXTY01N80 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2790
IXTY02N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1084
IXTY02N50D IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2517
IXTY02N50D TRL IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2622
IXTY06N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2685
IXTY08N100D2 IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2546
IXTY08N100P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2755
IXTY08N100P IXYS 単一MOSFETトランジスタ
IXTY08N120P IXYS Corporation トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2556

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IXTY01N100D ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, IXTY01N100D 参考価格. IXTY01N100D パラメーター, IXTY01N100D データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IXTY01N100D プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IXTY01N100D ピン図と回路図と機能の使用方法、 IXTY01N100D エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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