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MIEB100W1200TEH 技術仕様

IGBT MODULE 1200V 183A HEX

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E3
Package / Case E3
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 183A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Power - Max 630W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 300µA
Configuration Three Phase Inverter
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MIEB100W1200TEH IXYS IGBTモジュール
MIEB101H1200EH IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - モジュール 2679
MIEB101H1200EH IXYS IGBTモジュール
MIEB101W1200DPFEH IXYS IGBTモジュール 2790
MIEB101W1200EH IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - モジュール 2599
MIEB101W1200EH IXYS IGBTモジュール

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MIEB100W1200TEH ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, MIEB100W1200TEH 参考価格. MIEB100W1200TEH パラメーター, MIEB100W1200TEH データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MIEB100W1200TEH プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MIEB100W1200TEH ピン図と回路図と機能の使用方法、 MIEB100W1200TEH エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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