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MKI50-12F7 技術仕様

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E2
Package / Case E2
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 65A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 50A
Power - Max 350W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
Configuration Full Bridge Inverter
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MKI50-06A7 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - モジュール 2767
MKI50-06A7 IXYS IGBTモジュール
MKI50-06A7T IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - モジュール 2754
MKI50-06A7T IXYS IGBTモジュール
MKI50-12 E7 IXYS 特殊なホットIC 2654
MKI50-12E7 IXYS Corporation トランジスタ - IGBT - モジュール 2777
MKI50-12E7 IXYS IGBTモジュール
MKI50-12F7 IXYS IGBTモジュール

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MKI50-12F7 ブランドメーカー: IXYS Corporation, Bonchip ストック, MKI50-12F7 参考価格. MKI50-12F7 パラメーター, MKI50-12F7 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MKI50-12F7 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MKI50-12F7 ピン図と回路図と機能の使用方法、 MKI50-12F7 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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